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兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的鉴别

  • 作者:admin来源:未知发布日期:2018-06-12 点击:
  •   兴奋性突触后电位(EPSP) 抑制性突触后电位(IPSP)
    神经递质 作用于突触后膜的神经递质为兴奋性递质 作用于突触后膜的神经递质为抑制性递质
    后膜电位 递质作用后,突触后膜发生去极化 递质作用后,突触后膜发生超极化
    兴奋性 突触后神经元对刺激的兴奋性升高 对其他刺激的兴奋性降低
    产生机制 递质作用于突触后膜,突触后膜对Na+和K+通透性增高,导致突触后膜去极化 ①后膜对CI-通透性增高,Cl-内流,超极化
    ②K+通透性增高,Na+、Ca2+通道关闭
    后膜离子 Na+内流↑↑↑、K+外流↑ Cl-内流↑↑↑、K+外流↑
    特点 EPSP可以总和,为局部电位 IPSP也可以总和,为局部电位
    结果 突触后神经元容易兴奋(兴奋) 突触后神经元更不容易兴奋(抑制)
    抑制性突触后电位产生的离子机制是:
    A.Na+内流
    B.K+内流
    C.Ca2+内流
    D.C1-内流
    E.K+外流 
    答案:D
    解析:①突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化,称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制是抑制性中间神经元释放的抑制性递质(如GABA)作用于突触后膜,使后膜上的递质门控Cl-通道开放,引起CI-内流,导致突触后膜发生超极化。②虽然IPSP的形成还可能与突触后膜K+外流有关,但不是主要因素,因此本题最佳答案为D而不是E。
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